Метод плазмохимического травления состоит в том, что разрушение обрабатываемого материала происходит благодаря химическим реакциям между ионами активного газа или другими частицами, образующимися в плазме газового разряда, и атомами этого материала. При этом в результате химических реакций образуются летучие соединения.
При плазмохимическом (ПХТ) травлении поверхности полупроводниковых пластин обрабатываются химически активными атомами или радикалами, поступающими из высокочастотной плазмы в пять этапов:
Доставка молекул активного газа в зону разряда;
Превращение этих молекул в активные радикалы под воздействием электронов в плазме разряда;
Доставка радикалов к поверхности материала, подвергаемому травлению;
Взаимодействие радикалов с поверхностью материала (адсорбция, химическая реакция и десорбция);
Отвод продуктов реакции из рабочей камеры.
Преимущества метода:
Недостатки метода:
Разновидности:
реактивное ионное травление в емкостном разряде ССР;
в индукционном разряде ICP.
Наша компания разрабатывает оборудование, технологические источники и технологии для плазмохимического травления в вакууме. Вы можете ознакомиться с произведенными ранее установками, где используется указанный метод или прислать техническое задание для разработки нового оборудования.
