Химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ) (химическое парофазное осаждение, англ. Chemical vapor deposition, CVD) — процесс, используемый для получения высокочистых твёрдых материалов. Процесс часто используется в индустрии полупроводников для создания тонких плёнок. Как правило, при процессе CVD подложка помещается в пары одного или нескольких веществ, которые, вступая в реакцию и/или разлагаясь, производят на поверхности подложки необходимое вещество. Часто образуется также газообразный продукт реакции, выносимый из камеры с потоком газа.
Преимущества метода:
Разновидности:
APCVD (Atmospheric Pressure chemical vapor deposition (APCVD)) – CVD-процесс происходит при атмосферном давлении.
LPCVD (Low pressure chemical vapor deposition) – CVD-процесс при давлении ниже атмосферного.
UHVCVD (High vacuum chemical vapor deposition) – CVD-процесс проходит при очень низком давлении, обычно ниже 10-6 Па.
AACVD (Aerosol Assisted Chemical vapor deposition) – CVD-процесс, в котором прекурсоры транспортируются к подложке в виде аэрозоля, который может создаваться различными способами, например, ультразвуком.
DLICVD (Direct liquid injection chemical vapor deposition) – CVD-процесс, при котором прекурсор подается в жидкой фазе.
PECVD (Plasma enhanced chemical vapor deposition) – CVD-процесс, который использует плазму для разложения прекурсоров, активации поверхности подложки и ионного ассистирования.
MPCVD (Microwave plasma chemical vapor deposition) – CVD-процесс активированный СВЧ (сверхвысокочастотной) плазмой.
RPECVD (Remote plasma enhanced chemical vapor deposition) – CVD-процесс, в плазме газового разряда происходит только разложения прекурсоров, в то время как сама подложка не подвергается ее действию.
ALCVD (ALCVD(ALD)) – атомно-слоевое осаждение – формирует последовательные слои различных материалов для создания многоуровневой кристаллической плёнки.
Плазменное разложение CCVD (Combustion chemical vapor deposition) – процесс сгорания в открытой атмосфере.
CVD с горячей нитью (Hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) / hot filament CVD (HFCVD)) — также известен как каталитический CVD (Catalitic chemical vapor deposition (Cat-CVD)). Использует горячий носитель для ускорения реакции газов.
Металлорганический CVD (Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)) — CVD-процесс, использующий металлоорганические прекурсоры.
Гибридное физико-химическое парофазное осаждение (англ. Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition (HPCVD)) — процесс, использующий и химическую декомпозицию прекурсора, и испарение твёрдого материала.
Наша компания разрабатывает оборудование, технологические источники и технологии для нанесения покрытий методом газофазного химического осаждения в вакууме. Вы можете ознакомиться с произведенными ранее установками, где используется указанный метод или прислать техническое задание для разработки нового оборудования.
